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삼성전자, 中 시안에 12인치 낸드플래시 메모리 칩 2단계 프로젝트 장비 설치 시작
출처 글로벌이코노믹
등록일 2021.03.12
삼성전자가 11일(현지시간) 중국 북서부 산시성 시안에서 12인치 낸드플래시 메모리 2단계 사업 장비 설치 단계에 들어갔다고 글로벌타임스가 보도했다.

2단계 공사가 완료되면 올여름부터 가동될 것으로 예상된다. 2단계 플랜트가 완전히 가동되면 월 13만 장의 웨이퍼를 생산하게 된다. 이는 삼성 전 세계 유사 웨이퍼 생산량의 40%를 차지하는 분량이다.
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