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삼성전자, 중국 시안 낸드플래시 메모리 공장 착공
출처
등록일 2012.09.13
삼성전자가 12일 중국 서부 산시(陝西)성 시안(西安)에 10나노급 차세대 낸드플래시 메모리 생산라인을 착공했다. 내년 말까지 1단계 생산라인(38만㎡)을 짓고 2014년부터 생산에 들어간다. 1단계 공장 건설에는 총 70억달러(약 7조8900억원)가 투입된다. 중국 내 외국 기업의 단일 투자 프로젝트로는 가장 큰 규모다.



상세정보: 2012년 9월 12일 조선일보(news.chosun.com)
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